Раді Вас бачити! » Увійти » Створити новий профіль

Перший у світі: IBM виготовила чип за 2-нанометровим техпроцесом і обіцяє 4 доби життя смартфона

https://tech .24tv .ua/novim-2-nm-chipom-ibm-obitsyaye-4-dobi-zhittya-novini-tehnologiy_n1620089

Перший у світі: IBM виготовила чип за 2-нанометровим техпроцесом і обіцяє 4 доби життя смартфона

IBM представила перший у світі чип, виконаний за технологією 2-нанометрового техпроцесу. Виготовили його у США. Він вміщає в себе понад 50 мільярдів транзисторів.

Джерело: AnandTech
Зразок нового чипа був виготовлений у дослідницькій лабораторії компанії в місті Олбані, США. Повідомляється, що його площа 150 мм2. Щільність транзисторів становить 333 мільйони на квадратний міліметр. На жаль, інші характеристики чипа не уточнюються, але прогнози дуже втішні.
IBM порівняла свою новинку з 7-нанометровими чипами. За її словами, вона володіє на 75 відсотків вищою продуктивністю при тому ж рівні споживання енергії. А при однаковому рівні продуктивності споживання енергії у нового чіпа виявиться на 45 відсотків нижчим.

У IBM прогнозують, що перехід на 2-нанометровий техпроцес при виробництві процесорів для смартфонів дозволить збільшити час їхньої автономної роботи від батареї до чотирьох діб.
Використання для серверного сегмента дозволить знизити загальний рівень енергоспоживання датацентрів, а також позитивно позначиться на навколишньому середовищі за рахунок зменшення вуглецевого сліду.
Крім того, нові мікросхеми прискорять час обробки даних системами автоматичного управління автомобілями, що істотно поліпшить цю технологію.
У IBM готові поки тільки тестові зразки нових чипів. Згідно з планами, масове виробництво буде запущено до кінця 2024 року. Поки що жодна інша компанія у світі не має своїх чипів, виготовлених за 2-нанометровим техпроцесом.
   
Цікаво де виготовлятимуть
   
https://3dnews.ru/1039003/ibm-predstavila-perviy-mire-chip-vipolnenniy-po-2nm-tehprotsessu



Высота его ячейки составляет 75 нм, ширина — 40 нм, толщина внутренних слоёв — 5 нм. Шаг поликремниевого затвора с контактом составляет 44 нм, а длина затвора — 12 нм.

Ну вот и так, и так пытаюсь понять, где же там 2 нм, и никак не выходит  8-:

   
Но есть нюанс (с)
смартфоны не делают на интеловских чипах
Или интел будет клепать драгоны по лицензии?
   
в мене вже зараз труба тиждень робить без зарядки...
   

Ну вот и так, и так пытаюсь понять, где же там 2 нм, и никак не выходит  8-:

мова іде за 2нм техпроцес, а не що усе буде мати вимір 2нм

тіпа не топором рублене - так простіше вкурити?

Останнє редагування: 8 травня 2021 21:47:11 від kleynod
   
https://3dnews.ru/1039003/ibm-predstavila-perviy-mire-chip-vipolnenniy-po-2nm-tehprotsessu

Показати зображення...
Высота его ячейки составляет 75 нм, ширина — 40 нм, толщина внутренних слоёв — 5 нм. Шаг поликремниевого затвора с контактом составляет 44 нм, а длина затвора — 12 нм.
Ну вот и так, и так пытаюсь понять, где же там 2 нм, и никак не выходит  8-:

все рассказано тут: https://www.ixbt.com/platform/nanometers-2020.html
МНОГА БУКАФ и умных слов
коротко - нанометры ща считают где-то так же, как гигабайты на носителях информации, т.е. от фонаря. Маркетинг.
дело в том, что литография тупо уперлась в длину волны ультрафиолета (13нм), и хоть стреляйся, но физику не обманешь
   
а в перспективе все еще хуже, т.к. атомы элементов тоже имеют некоторые размеры
К примеру, размер атома кремния - 222пикометра, атома фосфора - 236 пикометров, атома бора 170пикометров
А транзистор состоит как минимум из стока, истока, затвора. И между затвором и стоком/истоком должен быть p-n переход. А в те же 5 нанометров (заявленая толщина слоя) "влезет", получается, пару десятков атомов всего!
Как тут прикажете "намешивать" состав, чтобы оно работало????
   
а в перспективе все еще хуже, т.к. атомы элементов тоже имеют некоторые размеры
К примеру, размер атома кремния - 222пикометра, атома фосфора - 236 пикометров, атома бора 170пикометров
А транзистор состоит как минимум из стока, истока, затвора. И между затвором и стоком/истоком должен быть p-n переход. А в те же 5 нанометров (заявленая толщина слоя) "влезет", получается, пару десятков атомов всего!
Как тут прикажете "намешивать" состав, чтобы оно работало????

це як автівками -  не все, що їздить має  споживати бензин.
Транзистор  у цифровій техніці то лише перемикач ( "так" чи " ні", 0 чи 1) -  напівпровідник не єдина структура, що може відтворювати таку функцію
   
Яка така айбіем ?
Планета кінчає від якихось вузькооких фуйомі ;)))
Вузькоокі заполонили усе.
Хіба ні ?
Бугага
   
Яка така айбіем ?
Планета кінчає від якихось вузькооких фуйомі ;)))
Вузькоокі заполонили усе.
Хіба ні ?
Бугага

фуйомі живуть за рахунок "цап-царап" (с).


   
Но есть нюанс (с)
смартфоны не делают на интеловских чипах
Или интел будет клепать драгоны по лицензии?
Чаво? Точно?
   
це як автівками -  не все, що їздить має  споживати бензин.
Транзистор  у цифровій техніці то лише перемикач ( "так" чи " ні", 0 чи 1) -  напівпровідник не єдина структура, що може відтворювати таку функцію
А какая альтернатива? Лампы?
   
в мене вже зараз труба тиждень робить без зарядки...

залежить від того що робить ..

   
https://3dnews.ru/1039003/ibm-predstavila-perviy-mire-chip-vipolnenniy-po-2nm-tehprotsessu

Показати зображення...
Высота его ячейки составляет 75 нм, ширина — 40 нм, толщина внутренних слоёв — 5 нм. Шаг поликремниевого затвора с контактом составляет 44 нм, а длина затвора — 12 нм.
Ну вот и так, и так пытаюсь понять, где же там 2 нм, и никак не выходит  8-:
+================================================+
2 нм - це допуск на виготовлення елементів. Те, що на фото,
не може бути виготовлен з техпроцесом у 130 нм.
   
Но есть нюанс (с)
смартфоны не делают на интеловских чипах
Или интел будет клепать драгоны по лицензии?
+=============================+
Йде відпрацювання нової технології.
   
обіцяє 4 доби життя смартфона


смартфона чи батарейки??
   
все рассказано тут: https://www.ixbt.com/platform/nanometers-2020.html
МНОГА БУКАФ и умных слов
коротко - нанометры ща считают где-то так же, как гигабайты на носителях информации, т.е. от фонаря. Маркетинг.
дело в том, что литография тупо уперлась в длину волны ультрафиолета (13нм), и хоть стреляйся, но физику не обманешь
+===============================================+
І з довжиною хвилі у 157 нм робили чіпи з нормами 65 нм.
Бо використовували явище інтерференції.
   
фуйомі живуть за рахунок "цап-царап" (с).

Украл випіл - в тюрьму ;)
Вузькоокі тільки крадуть а планета у них купує крадене...
   
А какая альтернатива? Лампы?

Не вийде ніяк ...
;)
   
а в перспективе все еще хуже, т.к. атомы элементов тоже имеют некоторые размеры
К примеру, размер атома кремния - 222пикометра, атома фосфора - 236 пикометров, атома бора 170пикометров
А транзистор состоит как минимум из стока, истока, затвора. И между затвором и стоком/истоком должен быть p-n переход. А в те же 5 нанометров (заявленая толщина слоя) "влезет", получается, пару десятков атомов всего!
Как тут прикажете "намешивать" состав, чтобы оно работало????
+===================================================================================+
Проф.Аоно ще у 1999-му році зробив одноатомний транзистор. За допомогою скануючого тунельного
мікроскопа, який навчили переносити з одного місцяна інше по одному атому. Я з ним співпрацював -
обчислював квантовохімічно куди атом можна посадити, а куди він не сяде.
Його Імператор у 2000-му році покликав до себе у радники і його група розвалилася...
   
з такою технологією навіщо той смартфон, краще відоазу вже під шкіру з інтерфейсом для вух, очей і голосових зв'зок
   
з такою технологією навіщо той смартфон, краще відоазу вже під шкіру з інтерфейсом для вух, очей і голосових зв'зок
+======================+
Зроби! Та продемонструй!
   
+======================+
Зроби! Та продемонструй!
?
   
?

;)
   
Академік вкхавр зійшов з катушокк повністю
Холодний термоядерний сиснтез теж його розробка.
Слідкуйте за форумом бугога
   
+===============================================+
І з довжиною хвилі у 157 нм робили чіпи з нормами 65 нм.
Бо використовували явище інтерференції.

поняття "норма" та "розмір елемента" зараз ніяк не перетинаються
сходи за посиланням, що я давав
при "нормі" у 7 нанометрів розмір транзистора складає десь 40х50 нанометрів (плюс-мінус)
   
+===================================================================================+
Проф.Аоно ще у 1999-му році зробив одноатомний транзистор. За допомогою скануючого тунельного
мікроскопа, який навчили переносити з одного місцяна інше по одному атому. Я з ним співпрацював -
обчислював квантовохімічно куди атом можна посадити, а куди він не сяде.
Його Імператор у 2000-му році покликав до себе у радники і його група розвалилася...

розумієш, "одноатомний транзистор" неможливо створити принципово
транзистор має щонайменш ТРИ виводи: вхід, вихід та керуючий, інакше це не транзистор
й через транзистор має йти струм
А у атома проблеми з цим - електрони у хмарці бовтаються
Оті заявлені 5нм товщини (тобто приблизно пару десятків атомів) - це все, це теоретичний бар'єр, менше неможливо, далі починаються квантові ефекти. Ну може до 4х нанометрів й доведуть.
Те, що технологію назвуть 2нм, 1нм, 100пм - то пофіг, це маркетинг й ніяк не відібражає реальний стан речей.
Напівпровідники себе вичерпали, треба шукать щось інше

   
смартфона чи батарейки??

це питання не за адресою, я це не писав, в тебе відквотилося криво
скоріш за все мається на увазі "смартфон, ідентичний існуючим, зібраний на новому чіпсеті, буде функціонувати до 4х діб без підзарядки у середньостатистично го користувача, у якого він функціонує одну добу зараз"
   
поняття "норма" та "розмір елемента" зараз ніяк не перетинаються
сходи за посиланням, що я давав
при "нормі" у 7 нанометрів розмір транзистора складає десь 40х50 нанометрів (плюс-мінус)
+==========================================================================+
Ти хоч читати вмієш? Норми техпроцесу - це максимальні відхилення від заданих розмірів.
На площі 1 кв мм розміщується 333 000 000 транзистори, тобто площа одного транзистора
3003 кв.нм. Якщо вважати її квадратом то сторона його 54.8 нм. Це прямо слідує з
наведеного тексту. Посперичайся з математикою...
   
розумієш, "одноатомний транзистор" неможливо створити принципово
транзистор має щонайменш ТРИ виводи: вхід, вихід та керуючий, інакше це не транзистор
й через транзистор має йти струм
А у атома проблеми з цим - електрони у хмарці бовтаються
Оті заявлені 5нм товщини (тобто приблизно пару десятків атомів) - це все, це теоретичний бар'єр, менше неможливо, далі починаються квантові ефекти. Ну може до 4х нанометрів й доведуть.
Те, що технологію назвуть 2нм, 1нм, 100пм - то пофіг, це маркетинг й ніяк не відібражає реальний стан речей.
Напівпровідники себе вичерпали, треба шукать щось інше
+======================================================+
Це його офіційна назва, яку я навів. Звичайно, це не один атом у
вакуумі, але там функцію нуль-один виконує один атом.
Гугл показує купу статей з такою назвою, наприклад:
Systematic method for studying single-electron transistors
Journal of Applied Physics 128, 034301 (2020);
   
розумієш, "одноатомний транзистор" неможливо створити принципово
транзистор має щонайменш ТРИ виводи: вхід, вихід та керуючий, інакше це не транзистор
й через транзистор має йти струм
А у атома проблеми з цим - електрони у хмарці бовтаються
Оті заявлені 5нм товщини (тобто приблизно пару десятків атомів) - це все, це теоретичний бар'єр, менше неможливо, далі починаються квантові ефекти. Ну може до 4х нанометрів й доведуть.
Те, що технологію назвуть 2нм, 1нм, 100пм - то пофіг, це маркетинг й ніяк не відібражає реальний стан речей.
Напівпровідники себе вичерпали, треба шукать щось інше
+===============================================================+
Саме такі процеси для прф.Аоно я й рахував кантовохімічно ще у 90-ті роки.
Після свого візиту в Японію до проф.Аоно в 1994-му...
   
обчислював квантовохімічно куди атом можна посадити, а куди він не сяде.
:peremoga:  :=V
   
розумієш, "одноатомний транзистор" неможливо створити принципово
транзистор має щонайменш ТРИ виводи: вхід, вихід та керуючий, інакше це не транзистор
й через транзистор має йти струм
А у атома проблеми з цим - електрони у хмарці бовтаються
Оті заявлені 5нм товщини (тобто приблизно пару десятків атомів) - це все, це теоретичний бар'єр, менше неможливо, далі починаються квантові ефекти. Ну може до 4х нанометрів й доведуть.
Те, що технологію назвуть 2нм, 1нм, 100пм - то пофіг, це маркетинг й ніяк не відібражає реальний стан речей.
Напівпровідники себе вичерпали, треба шукать щось інше
а давайте оптимізуємо софт, врешті-решт. шоб за кожен байт, за кожну мікросекунду змагатись. як це було колись
   

Цю тему переглядають:

0 Користувачів і 1 гість
 
Повна версія